RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
72
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
72
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1593
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link