RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905622-024.A00G 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905622-024.A00G 4GB

Kingston 9905622-024.A00G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,784.6 left arrow 11.1
    テスト平均値
Kingston 9905622-024.A00G 4GB 考慮すべき理由
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 65
    周辺 -160% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    4,806.8 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,784.6 left arrow 11.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    932 left arrow 2305

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB

Kingston 9905622-024.A00G 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
メモリRAM