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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
65
En -160% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2305
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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