Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

総合得点

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

総合得点

Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

考慮すべき理由
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 16.9

テスト平均値

Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 56

周辺 -133% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

14.5 1,501.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 4200

周辺 5.07 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

56 24
読み出し速度、GB/s

3,161.0 16.9
書き込み速度、GB/秒

1,501.2 14.5
メモリ帯域幅、mbps

4200 21300

Other

商品説明

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

381 3095

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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