RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,501.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,161.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,501.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
381
3095
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link