RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
31
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2026
2995
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link