RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
31
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2026
2995
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link