RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
31
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.6
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2026
2995
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681PAE-16IC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link