RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
比較する
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
総合得点
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
総合得点
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,622.0
13.8
テスト平均値
考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
77
周辺 -166% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
29
読み出し速度、GB/s
3,405.2
17.2
書き込み速度、GB/秒
2,622.0
13.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
763
3409
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link