RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 13.8
    テスト平均値
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 77
    周辺 -166% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 3409

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
メモリRAM