RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3409
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link