RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    77 left arrow 80
    周辺 4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16
    テスト平均値
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB 考慮すべき理由
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 2,622.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 80
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 1882

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
メモリRAM