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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
77
80
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
80
读取速度,GB/s
3,405.2
16.0
写入速度,GB/s
2,622.0
8.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1882
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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