RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.7
    テスト平均値
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 77
    周辺 -148% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.9 left arrow 2,622.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 9.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2817

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
メモリRAM