RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2817
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link