Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

総合得点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 17

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,622.0 11.3

テスト平均値

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 77

周辺 -208% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 5300

周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

77 25
読み出し速度、GB/s

3,405.2 17.0
書き込み速度、GB/秒

2,622.0 11.3
メモリ帯域幅、mbps

5300 19200

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

763 2912

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB

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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB

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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB

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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

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A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB

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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

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Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB

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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

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Kingston 9905702-137.A00G 8GB

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