RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
77
Autour de -208% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2912
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link