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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
比較する
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
総合得点
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,622.0
10.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
77
周辺 -148% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
31
読み出し速度、GB/s
3,405.2
15.2
書き込み速度、GB/秒
2,622.0
10.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
763
2712
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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