RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 13.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 10.6
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 77
    周辺 -108% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 13.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2757

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
メモリRAM