RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
77
Autour de -108% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2757
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link