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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
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Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
75
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,325.7
2,036.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
75
59
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
4,940.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
2,325.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
772
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
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Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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