Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    59 left arrow 75
    Autour de -27% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,325.7 left arrow 2,036.1
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    75 left arrow 59
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,986.4 left arrow 4,940.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,036.1 left arrow 2,325.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    714 left arrow 772
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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