RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
75
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,325.7
2,036.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
75
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
4,940.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
2,325.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
772
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link