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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
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Spezifikationen
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Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
75
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,325.7
2,036.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
75
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
4,940.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
2,325.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
772
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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