Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    59 left arrow 75
    Около -27% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,325.7 left arrow 2,036.1
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    75 left arrow 59
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,986.4 left arrow 4,940.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,036.1 left arrow 2,325.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    714 left arrow 772
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения