Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Punteggio complessivo
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    59 left arrow 75
    Intorno -27% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,325.7 left arrow 2,036.1
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    75 left arrow 59
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,986.4 left arrow 4,940.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,036.1 left arrow 2,325.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    714 left arrow 772
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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