Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Puntuación global
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    59 left arrow 75
    En -27% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,325.7 left arrow 2,036.1
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    75 left arrow 59
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,986.4 left arrow 4,940.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,036.1 left arrow 2,325.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    714 left arrow 772
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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