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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB 考慮すべき理由
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    59 left arrow 75
    周辺 -27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,325.7 left arrow 2,036.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 59
  • 読み出し速度、GB/s
    3,986.4 left arrow 4,940.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,036.1 left arrow 2,325.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    714 left arrow 772

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