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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
総合得点
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
59
75
周辺 -27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,325.7
2,036.1
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
75
59
読み出し速度、GB/s
3,986.4
4,940.8
書き込み速度、GB/秒
2,036.1
2,325.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
6400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
714
772
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