RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
比較する
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
総合得点
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
20.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,622.0
16.3
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
77
周辺 -328% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
18
読み出し速度、GB/s
3,405.2
20.5
書き込み速度、GB/秒
2,622.0
16.3
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
763
3575
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link