RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
77
Wokół strony -328% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3575
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link