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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

総合得点
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 14.9
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 77
    周辺 -141% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 14.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 3149

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Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
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