RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3149
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link