RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
33
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
19
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3681
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link