RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.5
    テスト平均値
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB 考慮すべき理由
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    72 left arrow 77
    周辺 -7% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 2,622.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 72
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 1631

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
メモリRAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM