RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
72
77
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
72
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
8.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1631
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link