RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Comparar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
14.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
3040
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link