RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
71
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.2
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
71
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
5.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
1359
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link