RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
71
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.2
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
5.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
1359
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
INTENSO 5641162 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link