Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

総合得点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 17.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,622.0 14.5

テスト平均値

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 77

周辺 -185% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 5300

周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

77 27
読み出し速度、GB/s

3,405.2 17.4
書き込み速度、GB/秒

2,622.0 14.5
メモリ帯域幅、mbps

5300 25600

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

763 3692

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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