Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 17.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,622.0 left arrow 14.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 77
    Около -185% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 5300
    Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    77 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,405.2 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,622.0 left arrow 14.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    763 left arrow 3692
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения