RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3692
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link