RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
63
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2709
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link