Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

総合得点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 11.6

テスト平均値

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

考慮すべき理由
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

45 77

周辺 -71% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

8.5 2,622.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 5300

周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

77 45
読み出し速度、GB/s

3,405.2 11.6
書き込み速度、GB/秒

2,622.0 8.5
メモリ帯域幅、mbps

5300 17000

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

763 2036

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

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Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB

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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

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Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

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Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB

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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

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