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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
比較する
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
総合得点
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
20.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,622.0
17.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
77
周辺 -328% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
18
読み出し速度、GB/s
3,405.2
20.4
書き込み速度、GB/秒
2,622.0
17.2
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
763
3814
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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