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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

総合得点
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.7
    テスト平均値
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 77
    周辺 -114% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 2,622.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2588

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Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
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Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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