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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
比較する
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
81
周辺 59% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
13
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
6.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
81
読み出し速度、GB/s
17.6
13.0
書き込み速度、GB/秒
12.0
6.6
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2910
1515
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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