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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
81
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
81
读取速度,GB/s
17.6
13.0
写入速度,GB/s
12.0
6.6
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1515
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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