RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
比較する
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
54
周辺 39% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
15.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
12.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
54
読み出し速度、GB/s
17.6
15.7
書き込み速度、GB/秒
12.0
12.6
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2910
2583
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link