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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
54
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
54
读取速度,GB/s
17.6
15.7
写入速度,GB/s
12.0
12.6
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2583
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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