RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 33
    周辺 -38% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 2509

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
メモリRAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
メモリRAM