Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.6 15.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 9.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33% выше полоса пропускания

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 33

Около -38% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 24
Скорость чтения, Гб/сек

17.6 15.5
Скорость записи, Гб/сек

12.0 9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 19200

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2910 2509

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB

Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB

Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB

модули RAM