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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
総合得点
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
36
周辺 -20% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.4
15.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.8
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
30
読み出し速度、GB/s
15.8
18.4
書き込み速度、GB/秒
11.8
14.8
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2497
3657
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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