RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3657
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link