RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
バグを報告する
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 41
    周辺 -24% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 13.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2322 left arrow 2498

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB RAMの比較

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
メモリRAM