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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
41
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
2498
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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